Купить Накопитель SSD M.2 2280 1TB 9100 PRO Samsung (MZ-VAP1T0BW) по низкой цене Чернигове, Украине. Самая низкая цена на Накопитель SSD M.2 2280 1TB 9100 PRO Samsung (MZ-VAP1T0BW) в интернет магазине prydbuy

Ноутбуки, планшеты Комплектующие к ноутбукам Внутренние SSD Накопитель SSD M.2 2280 1TB 9100 PRO Samsung (MZ-VAP1T0BW)

Накопитель SSD M.2 2280 1TB 9100 PRO Samsung (MZ-VAP1T0BW)

Производитель: SamsungНакопитель SSD M.2 2280 1TB 9100 PRO Samsung (MZ-VAP1T0BW)

Производитель: Samsung

Код: U1036579

Серия - 9100 PRO, 1 TB, 3D TLC NAND, M.2, PCI Express 5.0 x4, Скорость чтения - 14700 Mb/s, Скорость записи - 13300 Mb/s, 80.15 x 22.15 x 2.38 мм, 9 г, черный

11 321 ₴

Количество:

Купить в 1 клик:

Добавить в корзину

КУПИТЬ В КРЕДИТ

Накопитель SSD M.2 2280 1TB 9100 PRO Samsung (MZ-VAP1T0BW)

Купить

Характеристики
Описание

Характеристики Накопитель SSD M.2 2280 1TB 9100 PRO Samsung (MZ-VAP1T0BW)

Тип накопителя	внутренний
Производитель	Samsung
Серия	9100 PRO
Объем памяти	1 TB
Тип флеш-памяти	3D TLC NAND
Типоразмер М2	M.2 2280
Форм-фактор	M.2
Интерфейс подключения	PCI Express 5.0 x4
Скорость чтения	14700 Mb/s
Скорость записи	13300 Mb/s
Наработка на отказ	1.5 млн.часов
TBW	600
Энергопотребление	7.6 Вт
Толщина	2.38 мм
(Сборка) Потребляемая мощность	6 Вт
Также ищут	M2 1Tb, быстрые, для компьютера, для ноутбука, игровые, лучшие
Габариты	80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Вес	9 г
Цвет	черный
Страна производства	Южная Корея

Описание Накопитель SSD M.2 2280 1TB 9100 PRO Samsung (MZ-VAP1T0BW)

Передовая производительность PCIe 5.0. Поднимите производительность PCIe 5.0 до максимума. 9100 PRO достигает молниеносной скорости последовательного чтения/записи до 14 800/13 400 МБ/с, причем скорость последовательного чтения в два раза выше, чем у 990 PRO. Оставьте ограничения Gen4 позади благодаря скорости произвольного чтения/записи до 2 200K/2 600K IOPS, что возможно только для Gen5
Каждая задача, мощная параллель. Преодолейте пределы производительности. Захватывающая скорость произвольного чтения/записи обеспечивает сверхбыструю параллельную обработку бесчисленных фрагментированных данных со скоростью до 2 200K/2 600K IOPS. Оцените превосходную производительность и мгновенную загрузку для огромных игр, высокопроизводительных задач и даже приложений искусственного интеллекта
Создавайте с помощью искусственного интеллекта в одно мгновение. Интеллект переопределяет производительность. Преодолейте пределы своих возможностей в работе и развлечениях благодаря встроенному компьютеру с искусственным интеллектом и генерации контента с искусственным интеллектом, что обеспечивается потрясающей скоростью произвольного чтения/записи 9100 PRO до 2 200K/2 600K IOPS. Быстрая загрузка, плавный игровой процесс, бесперебойная работа
Исключительно везде. Повысьте свою конкурентоспособность. С помощью новейших интерфейсов PCI 5.0 вы сможете легко редактировать видео, создавать 3D-изображения и даже выполнять длительные сеансы потоковой передачи данных. Оцените передовую производительность в любое время, в любом месте, на любом устройстве и выберите необходимый объем памяти до 8 ТБ
Чрезвычайная тепловая эффективность. Пиковая производительность без перерыва. Передовая 5-нм архитектура питания контроллера повышает энергоэффективность до 49 % по сравнению с 990 PRO. Исключительный термоконтроль гарантирует, что ничто не нарушит ваш поток, и вы сможете поддерживать работу самых требовательных программ с максимально возможной мощностью PCIe 5.0
Программное обеспечение Samsung Magician. Заставьте ваш SSD работать как по волшебству. Инструменты оптимизации программного обеспечения Samsung Magician обеспечивают наилучшую производительность SSD. Это безопасный и простой способ перенести все ваши данные для обновления SSD-накопителя Samsung. Защитите ценные данные, следите за состоянием диска и получайте последние обновления прошивки
Воплощение инноваций в жизнь. На протяжении десятилетий флэш-память NAND компании Samsung служит основой для революционных технологий, которые изменили все сферы нашей повседневной жизни. Эта технология NAND также используется в наших потребительских твердотельных накопителях, освобождая место для следующего большого рывка в инновациях